镀膜工艺

标准热氧化工艺，可提供PECVD工艺；

镀膜工艺

标准LPCVD工艺，可提供PECVD工艺；

镀膜基底

硅片、石英玻璃、蓝宝石片等；

镀膜基底

硅片、石英玻璃、蓝宝石片等；

SiO2厚度

15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm，1um、2um、3um、6um.......

SiN厚度

50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um.......

表面

单面氧化、双面氧化；

表面

单面氮化、双面氮化；

基底尺寸

6英寸向下兼容，部分8英寸和12英寸；

基底尺寸

6英寸向下兼容；

粗糙度

选用超高平整度基底，镀膜均匀性高，整体粗糙度好；

粗糙度

选用超高平整度基底，镀膜均匀性高，整体粗糙度好；

平整度

超高平整度，质量高，适用多种用途。

平整度

超高平整度，质量高，适用多种用途。