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氧化硅SiO2/氮化硅SiN膜
来源: | 作者:北京特博文宣部 | 发布时间: 2008-02-19 | 119 次浏览 | 分享到:

氧化膜SiO2

低应力氮化膜SiN

 

 

 

镀膜工艺

标准热氧化工艺,可提供PECVD工艺;

镀膜工艺

标准LPCVD工艺,可提供PECVD工艺;

镀膜基底

硅片、石英玻璃、蓝宝石片等;

镀膜基底

硅片、石英玻璃、蓝宝石片等;

SiO2厚度

15 nm25nm50nm100nm120nm150nm200nm300nm500nm1um2um3um6um.......

SiN厚度

50 nm80nm100nm120nm200nm300nm500nm1um.......

表面

单面氧化、双面氧化;

表面

单面氮化、双面氮化;

基底尺寸

6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸;

基底尺寸

6英寸向下兼容;

粗糙度

选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好

粗糙度

选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好

平整度

超高平整度,质量高,适用多种用途。

平整度

超高平整度,质量高,适用多种用途。




镀膜工艺

标准热氧化工艺,可提供PECVD工艺;

镀膜工艺

标准LPCVD工艺,可提供PECVD工艺;

镀膜基底

硅片、石英玻璃、蓝宝石片等;

镀膜基底

硅片、石英玻璃、蓝宝石片等;

SiO2厚度

15 nm25nm50nm100nm120nm150nm200nm300nm500nm1um2um3um6um.......

SiN厚度

50 nm80nm100nm120nm200nm300nm500nm1um.......

表面

单面氧化、双面氧化;

表面

单面氮化、双面氮化;

基底尺寸

6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸;

基底尺寸

6英寸向下兼容;

粗糙度

选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好

粗糙度

选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好

平整度

超高平整度,质量高,适用多种用途。

平整度

超高平整度,质量高,适用多种用途。