氧化膜SiO2 |
低应力氮化膜SiN |
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镀膜工艺 |
标准热氧化工艺,可提供PECVD工艺; |
镀膜工艺 |
标准LPCVD工艺,可提供PECVD工艺; |
镀膜基底 |
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等; |
镀膜基底 |
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等; |
SiO2厚度 |
15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um....... |
SiN厚度 |
50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um....... |
表面 |
单面氧化、双面氧化; |
表面 |
单面氮化、双面氮化; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容; |
粗糙度 |
选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好; |
粗糙度 |
选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好; |
平整度 |
超高平整度,质量高,适用多种用途。 |
平整度 |
超高平整度,质量高,适用多种用途。 |
镀膜工艺 |
标准热氧化工艺,可提供PECVD工艺; |
镀膜工艺 |
标准LPCVD工艺,可提供PECVD工艺; |
镀膜基底 |
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等; |
镀膜基底 |
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等; |
SiO2厚度 |
15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um....... |
SiN厚度 |
50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um....... |
表面 |
单面氧化、双面氧化; |
表面 |
单面氮化、双面氮化; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容; |
粗糙度 |
选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好; |
粗糙度 |
选用超高平整度基底,镀膜均匀性高,整体粗糙度好; |
平整度 |
超高平整度,质量高,适用多种用途。 |
平整度 |
超高平整度,质量高,适用多种用途。 |