北京特博万德加工、销售 氮化硅片,大量现货。 尺寸: 2,3,4,6英寸;
工艺: LPCVD;LPCVD具有均匀性好,应力低,成膜质量好等优点,成本也较高;
氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
表面:单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化;
硅片厚度:200um,500um等多种厚度;
应用:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度,防止硅片翘曲,并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域;
供货能力:大量现货、参数齐全;当天出库;
订制能力: 各种参数均可订制。
北京特博万德加工、销售 氮化硅片,大量现货。 尺寸: 2,3,4,6英寸;
工艺: LPCVD;LPCVD具有均匀性好,应力低,成膜质量好等优点,成本也较高;
氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
表面:单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化;
硅片厚度:200um,500um等多种厚度;
应用:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度,防止硅片翘曲,并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域;
供货能力:大量现货、参数齐全;当天出库;
订制能力: 各种参数均可订制。
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上图:不同膜厚的氮化硅片展示图 |
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下表:技术参数规格
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