型号

IMC200

型号

PULSION

应用

设备主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，在晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备升级注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能

优势

ü3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制

ü可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低；

ü独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理；

ü能够以较小的占地面积处理大型部件；

ü工艺时间短：工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高；

ü可按照用户要求定制；

ü有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺；

ü工艺recipe可编辑，工艺参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。

注入晶圆尺寸

6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不规则小片，最小可注入1 cm²的样品。

原理

把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。

注入能量范围

单价离子30KeV～200KeV，可升级二价/三价离子注入，注入能量可升级到400 KeV/600 KeV。

应用

ü改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳；

ü提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能；

ü改变表面理化性能如表面能、粘附性等；

ü提高生物相容性；

ü逸出功工程；

ü用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构；

ü加氢（Hydrogenation），吸气（gettering）。

注入角度

0°、7°，可通过手动更换夹具的方式来改变注入角度。

加速电压

1 kV ~ 10 kV

注入剂量范围

1×10¹¹ at/cm² ～ 1×10¹⁸ at/cm²

标准注入电流

5 mA ~ 100 mA (N₂)

注入均匀性

ü4”片内、片间1σ ≤ 1.0 % （注入条件：4英寸硅片，1000 Å氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1×10¹⁴ at/cm².）；

ü6”片内、片间1σ ≤ 1.0 %（注入条件：6英寸硅片，1000 Å氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1×10¹⁴ at/cm²）

标准注入时间

30 min ~ 3 h

真空度

ü离子源：≥ 2×10^-6 mbar（2 x10-4 Pa）；

ü束流管：≥ 7×10^-7 mbar（7x10-5 Pa）；

ü 靶室：≥ 7×10^-7 mbar（7x10-5Pa）；

ü离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵；束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。

可注入选项

N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

最大注入束流

ü¹¹B单价离子：≥ 600µA；

ü ³¹P单价离子：≥ 1500µA；

ü⁷⁵As单价离子：≥ 1500µA。

（注入条件：6”晶圆，注入能量120KeV～200KeV）。

注入部件尺寸

≤ 400 mm×400 mm×200 mm

离子源气路系统

包含5路气体：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面，能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。

辐射

在任意外部屏蔽点10 cm处< 0.6 μSv/h

软件功能

包括但不限于：权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。

注入剂量范围

1E¹⁴ at/cm² ~1E¹⁸ at/cm²

腔室气压

< 5×10^-6  mbar

设备尺寸

1.6×2.15×2.3m（标准型）；2.15×2.15×2.3m（加大型）

辐射

在任意外部屏蔽点10 cm处< 0.6 μSv/h

注入剂量范围

1E¹⁴ at/cm² ~1E¹⁸ at/cm²

离子辐射满足国际相应标准，具有CE认证。