名称

MgO 单晶

SrTiO3单晶

YSZ 单晶

ZnO单晶

简介

氧化镁是极好的单晶基片，广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光点薄膜和高温超导薄膜等。可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。

SrTiO3单晶具有钙钛矿结构材料所具备的良好晶格结构，对于HTS的外延生长和多数氧化物薄膜，被大量应用于高温超导薄膜的研究，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。

氧化锆单晶是ZrO2中掺入钇（Y）以稳定其结构，一般实际使用的是YSZ单晶——加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它的机械、化学稳定性好。

氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽。同时具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质。

晶向

<100><110><111>

<100><110><111>

<100><110><111>

<0001><11-20><10-10>

供应尺寸（mm）

15 x 15，10 x 10，10 x 5，5 x 5

10 x 10

25 x 25，10 x 10，10 x 5，5 x 5

表面

单抛、双抛

单抛、双抛

单抛、双抛

单抛、双抛

厚度（mm）

氧化镁是极好的单晶基片，广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光点薄膜和高温超导薄膜等。可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。

SrTiO3单晶具有钙钛矿结构材料所具备的良好晶格结构，对于HTS的外延生长和多数氧化物薄膜，被大量应用于高温超导薄膜的研究，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。

氧化锆单晶是ZrO2中掺入钇（Y）以稳定其结构，一般实际使用的是YSZ单晶——加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它的机械、化学稳定性好。

氧化锌(ZnO) 是很好的GaN薄膜衬底材料，具有60mev的激子束缚能以及室温下3.73ev带宽。同时具有可见区透明，机电耦合系数大，能使气体分子在其表面的吸附－解析等性质。