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北京特博万德科技

单晶硅片

北京特博万德加工、供应各种类型单晶硅片，以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式：直拉（CZ）、MCZ等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非标直径及异形硅片；
 表面：单抛、双抛、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：＞1mm；

 导电类型：N型、P型、本征半绝缘；

 电阻率：重掺杂＜0.0015Ω.cm，轻掺杂1~100Ω.cm，非掺>1000~＞20000Ω.cm；

 用途：各种指标，满足各种应用。如：PVD/CVD/热氧化/氮化等镀膜用衬底；磁控溅射生长样品；分子束外延生长的基底；SEM扫描电镜、透射电镜、原子力AFM、拉曼光谱、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底；X射线分析；刻蚀、键和、光学透过、透镜、器件等；

 工艺：可加工氧化、 氮化、镀金属膜（银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni）；
 供货能力：大量库存现货，种类齐全，当天发货！
 加工能力：各种规格可加工，为客户量身定制！工期短！


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商品描述

北京特博万德加工、供应各种类型单晶硅片，以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式：直拉（CZ）、MCZ等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非标直径及异形硅片；
 表面：单抛、双抛、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：＞1mm；

 导电类型：N型、P型、本征半绝缘；

 电阻率：重掺杂＜0.0015Ω.cm，轻掺杂1~100Ω.cm，非掺>1000~＞20000Ω.cm；

 用途：各种指标，满足各种应用。如：PVD/CVD/热氧化/氮化等镀膜用衬底；磁控溅射生长样品；分子束外延生长的基底；SEM扫描电镜、透射电镜、原子力AFM、拉曼光谱、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底；X射线分析；刻蚀、键和、光学透过、透镜、器件等；

 工艺：可加工氧化、 氮化、镀金属膜（银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni）；
 供货能力：大量库存现货，种类齐全，当天发货！
 加工能力：各种规格可加工，为客户量身定制！工期短！

单晶硅棒
1-12寸单晶硅片 超薄硅片 超厚硅片



生长方式

区熔（FZ）、中子辐照区熔（NTDFZ）等

直径

2英寸、3英寸

4英寸、5英寸

6英寸

8英寸

12英寸

晶向

<100><111><110>

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>

<100><111><110>

<100>

厚度（um）

25um,50,280,400,500,1000,2000,
as required

20um,100um, 200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
as required

625,650,675,1000,1500,
as required

650,700,725,1200,1500,
as required

700,775,as required

电阻率（Ω.cm）

0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

0.001,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

0.001 ,>1,>100,>1000,>10000 
as required

>1,>100,>1000,>10000
as required

TTV（um）

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5,<3

<10,<5,<3,＜1

<10,<5，<3,＜1

Bow（um）

<20

<20

<30

<30

<40

Warp（um）

<30

<30

<40

<40

<50

粗糙度（n m）

<0.2，0.5

<0.2，0.5

<0.2，0.5

<0.2，0.5

<0.2，0.5

颗粒度

<20@0.3as required

<20@0.3as required

<20@0.3as required

<20@0.3，as required

<20@0.3，as required