北京特博万德提供3-8英寸硅外延片。 掺杂类型和晶向:P100,P111,N100,N111;
类型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
外延厚度:0.1-100um;
外延电阻率:0.001-100Ω.cm;
可加工定制,详情请电联!
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外延厚度:0.1-100um;
外延电阻率:0.001-100Ω.cm;
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一、硅外延的定义 硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术,它是在一定的条件下,在硅单晶的衬底片上,沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型,电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。 |
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二、硅外延生长工艺的优点
1、 生长温度比它本身的熔点要低; |
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三、硅外延工艺的分类 1、 按结构分类
同质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料相同,例如N/N+,P/P+; |
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四、硅外延的基本原理
硅化学气相沉积外延生长其原理是在高温(>1100℃)的衬底上输送硅化合物(SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等)利用氢(H2)在衬底上通过还原反应析出硅方法。 |
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Certificate |
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Substrate |
Epi |
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Diameter (mm) |
Φ76.2+/-0.5 |
Type/Dopant |
N/PH |
Type/Dopant |
P/Boron |
Epi Resistivity(Ω.cm) |
0.003-0.005 |
Orientation |
<111> |
Epi Thickness(µm) |
25-30 |
Thickness(µm ) |
355-407 |
Surface |
Good |
Resistivity(Ω.cm) |
0.004-0.008 |
Qty |
25PCS |
Part No: |
M-72T-.004 |
EPI RUN NO: 3N119C2WX001 |