氧化膜SiO2 | 低应力氮化膜SiN | ||
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镀膜工艺 | 标准热氧化工艺，可提供PECVD工艺； | 镀膜工艺 | 标准LPCVD工艺，可提供PECVD工艺； |
镀膜基底 | 硅片、石英玻璃、蓝宝石片等； | 镀膜基底 | 硅片、石英玻璃、蓝宝石片等； |
SiO2厚度 | 15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm，1um、2um、3um、6um....... | SiN厚度 | 50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um....... |
表面 | 单面氧化、双面氧化； | 表面 | 单面氮化、双面氮化； |
基底尺寸 | 6英寸向下兼容，部分8英寸和12英寸； | 基底尺寸 | 6英寸向下兼容； |
粗糙度 | 选用高平整度基底，镀膜均匀性高，整体粗糙度好； | 粗糙度 | 选用高平整度基底，镀膜均匀性高，整体粗糙度好； |
平整度 | 高平整度，质量高，适用多种用途。 | 平整度 | 高平整度，质量高，适用多种用途。 |
镀膜工艺
标准热氧化工艺，可提供PECVD工艺；
镀膜工艺
标准LPCVD工艺，可提供PECVD工艺；
镀膜基底
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等；
镀膜基底
硅片、石英玻璃、蓝宝石片等；
SiO2厚度
15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm，1um、2um、3um、6um.......
SiN厚度
50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um.......
表面
单面氧化、双面氧化；
表面
单面氮化、双面氮化；
基底尺寸
6英寸向下兼容，部分8英寸和12英寸；
基底尺寸
6英寸向下兼容；
粗糙度
选用超高平整度基底，镀膜均匀性高，整体粗糙度好；
粗糙度
选用超高平整度基底，镀膜均匀性高，整体粗糙度好；
平整度
超高平整度，质量高，适用多种用途。
平整度
超高平整度，质量高，适用多种用途。