特点

完全可定制，结构紧凑，实用，可靠性高，薄膜沉积均匀，粘附性好，沉积速率可严格控制，污染低，具备多轴旋转能力。

多种材料的连续沉积，可以完成几乎所有的金属材料和介电薄膜的沉积，是一款极高端配置的高真空镀膜设备，可满足用户各种苛刻要求。腔室采用最佳的D字型设计，是美国托尔公司的独特设计，完全不同于其他的制造商，这种设计可以更方便的靠近电子枪，方便更换干锅和基片样品。更重要的是这种设计可以使腔体小型化，灵活方便，也可以使任何组件和样品方便进出，达到尺寸和便利性的优秀结合。

应用

专为实验室/大学研发或小规模生产设计，适用于在纳米技术、光学、显微镜、MBE、功能性和装饰性涂层等应用中沉积几乎所有的金属比如Ti, Pd, Ag, Ge, Ni, Ta, Cr, W, Nb, Al, Au, Pt等，以及像SiO2, Ga2O3等氧化材料、磁性材料和电介质等。

基本

配置

工艺腔室

不锈钢D字型腔室设计，前开门，便于靠近蒸发源、样品台和其他所有附件。配有不锈钢筛网的4”直径的观察窗方便监测工艺过程。

电子束枪

4个4cc水冷干锅，并配有快门挡板。

样品台

样品台尺寸4” 直径（更大的样品台可根据客户要求设计），可以承载最大4”直径的样品或多个更小及不规格的样品，样品台可加热300°C。可以0-20 rpm 旋转。配备快门遮挡防止污染。

电源类型

配备X-Y扫描控制器的高压电源（3kW至15 kW）

真空系统

由机械泵和抽速450L/S的分子泵组成。这样的真空组合，可以实现基础真空10-6 Torr，极限真空10-7 Torr。放气阀与真空泵间安全互锁。

附加装置

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器，实时监测沉积速率和膜厚。

具有显示和读数功能的全系列真空计，测量范围760 ~ 10^-9Torr。

控制系统

全自动

可选

配置

水冷装置、与样品传送系统相匹配的真空进样室、多轴旋转样品台（尺寸和高度可调）、石英灯加热装置（从300°C到800°C）、行星式基台、PLC控制系统、PC控制系统、SQC 310薄膜厚度监测器&沉积控制器、机动快门、大容量坩埚和高功率电源、涡旋干泵、低温泵送系统、冷阴极或热阴极电离真空计、额外的备用法兰、带数字读数的质量流量控制器、射频清洗功能、原位掩模更换装置

类似

产品

热蒸发系统 ：采用电阻加热蒸发源材料，沉积膜层。受蒸发温度、材料熔点及寿命限制，应用有限，成本较低。

CRTE（Compact Research Thermal Evaporation）System：研究用小型热蒸发系统。

特点

可以根据几何形貌和研究需求处理各种尺寸样品，刻蚀均匀性＜5%

应用

可用于包括氧化物、氮化物、聚合物等薄膜及硅和微电子器件的材料的各向同性蚀刻，适用于研究和开发，可用于小型试验生产应用。

基本配置

腔体：顶部开口的铝或不锈钢腔体（蛤壳式），有观察窗，尺寸可定制；
样品台：尺寸大小可定制，带水冷装置；
电源类型：功率和频率可定制的RF射频电源，自动匹配网络；
真空泵：涡轮分子真空泵系统搭配旋片式真空泵，可以实现＜E-5Torr的真空；
附加装置：在样品台上方定制气体喷淋装置；
质量流量控制器MFC：用于工艺气体数字读数，数量可定制；
真空计：具有显示和读数功能，测量范围E-6Torr；
控制系统：手动或PC全自动

可选配置

水冷装置、尾气处理装置、PLC控制系统、PC控制系统、多气路（质量流量控制器）、额外的备用法兰、耐腐蚀真空泵系统、耐腐蚀全金属密封质量流量控制器、耐腐蚀真空计、具有数字显示和读数的隔离式全量程真空计（用于预处理的本底压力测量）

类似产品

ICPRIE系统（Inductively Coupled Plasma）：电感耦合等离子体刻蚀，通过在非谐振感应线圈上施加耦合射频电磁场产生等离子体。具备各向异性，可独立控制等离子体密度和能量，等离子体相比于传统等离子体生成方式密度高而气压低，能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀，广泛应用于MEMS制造工艺中。

名称

PECVD等离子体增强化学气相沉积系统

特点

完全可定制，沉积速率快，成膜质量好，反应温度低。

应用

适用于实验室/大学研究或小规模生产，广泛应用于半导体封装行业、LED、太阳能等领域，可沉积SiO2、Si3N4、非晶硅等半导体化合物薄膜。

基本配置

腔体：电镀抛光不锈钢D型腔体，水冷，全开式前门，有一个4英寸可视窗口，用不锈钢网覆盖来防止沉积。箱体底板连接基板台。顶板连接进气口、RF射频喷头等离子体源。
样品台：尺寸大小可定制，可配备加热和温度监控调节功能。
电源类型：功率可选，频率一般为13.56 MHz的RF射频电源，风冷，可以自动匹配网络，可显示正向和反射功率。
真空泵：涡轮分子真空泵搭配双级旋片式真空泵，将本底压力控制在E-7范围。
附加装置：带数字读数的质量流量控制器MFC，数量可升级具有显示和读数功能的真空计，测量范围760至E-2 Torr
控制系统：半自动

可选配置

水冷装置、密封件、法兰垫片、维修套件、真空计、加热装置、尾气处理器、PC全自动/手动/服务模式、SQC 310薄膜厚度监测器&沉积控制器、与样品传送系统相匹配的真空进样室。

类似产品

ALD（Atomic Layer Deposition）系统：原子层沉积系统，可以将材料以单原子膜形式逐层沉积，均匀性和一致性极好，应用于高级硬盘驱动器、DRAM、存储电容器、TFEL显示器（磷光层）、太阳能电池、MEMS、OLED等领域。

名称

电子束蒸发+热蒸发+磁控溅射+离子束辅助联合系统

名称

电子束蒸发+热蒸发+磁控溅射+刻蚀联合系统

特点

集合多种功能一体，灵活可拓展，可完全按照要求定制，各系统共用电源、水冷、气柜和真空泵等，极大地节省空间及成本。

特点

集合多种功能于一体，灵活可拓展，可完全按照要求定制，可选DC和RF蚀刻，各系统共用水冷、气柜和真空泵等公共设施，极大地节省了空间及成本；

基本配置

腔体：电镀抛光不锈钢D型腔体，16"× 16"× 20"，有4英寸直径带手动挡板的观察窗；
靶枪：两个尺寸可定制的伸缩式磁控枪，带挡板；
坩埚：带水冷坩埚的4个电子束源，容量3cc，带挡板；
加热源：两个具有独立挡板的电阻式加热源，与电源一体化；
离子源：采用会聚离子束源的离子束沉积和电源，靶材易于更换；采用发散束离子源的离子束辅助沉积和电源；
样品台：4英寸样品台，可加热和旋转；
电源类型：带X-Y扫描控制器的高压电源（3kW-10 kW）；600W 13.56 MHz射频电源，自动匹配网络;与两个电阻式蒸发源一体的600W直流电源；
真空泵：低温泵（1500 L/s空气，4000 L/s水蒸气）配套双级旋叶低真空泵；
附加装置：

三位置角度阀；

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器；

带数字读数的质量流量控制器MFC；

具有显示和读数功能的全范围真空计；

定制气体喷淋装置；

控制系统：PLC控制系统；

基本配置

腔体：电镀抛光不锈D型腔体，16"× 16"× 20"，有4英寸直径带挡板的观察窗；
靶枪：尺寸可定制，带有气动快门的两个可调倾斜磁控枪；
坩埚：带水冷坩埚的4个电子束源，容量3cc，带挡板；
加热源：两个具有独立挡板的电阻式加热源，与电源一体化；
样品台：4英寸水冷样品台，可加热和旋转；
Load Lock：带独立涡轮真空系统，与样品传送系统相匹配的真空进样室Load Lock，配备用于装载Load Lock的磁耦合传送臂；
电源类型：带X-Y扫描控制器的3kW直流高压电源；具有自动匹配网络的600W 13.56 MHz射频电源；具有2个电阻式蒸发源的600W直流电源；
真空泵：1500 L/s低温泵搭配双级低真空粗抽泵；
附加装置：

三位8英寸角度阀；

带沉积控制器的石英晶体厚度传感器/监测器；

2个带数字读数的质量流量控制器MFC；

定制气体喷淋装置；
控制系统：PLC控制系统；