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砷化铟晶片InAs
北京特博万德供应砷化铟InAs 晶片。
尺寸：2,3英寸； 阐述：InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
应用：InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。
用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
北京特博万德供应砷化铟InAs 晶片。 尺寸：2,3英寸； 阐述：InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
应用：InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。
用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
|
Growth Method |
VGF |
||||||
|
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
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|
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
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|
Orientation |
100/111 |
||||||
|
Surface |
Polished/Etched |
||||||
|
Epi-ready |
Yes |
||||||
|
Package |
single |
||||||
|
|
|||||||
|
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||||
|
Thickness(um) |
500±25 |
600±25 |
800±25 |
||||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||||
|
TTV(um) |
<10 |
<10 |
<15 |
||||
|
BOW(um) |
<10 |
<10 |
<15 |
||||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||||
|
|
|||||||
|
Electrical parameters |
|||||||
|
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (Ω·cm) |
EPD(/cm3) |
||
|
Undoped |
N |
5E16 |
＞3E4 |
/ |
<5E4 |
||
|
S-InAs |
N |
（1~10）E17 |
（0.6~2）E4 |
/ |
<5E4 |
||
|
Sn-InAs |
N |
（5~20）E17 |
(0.7~2) E4 |
/ |
<5E4 |
||
|
Zn-InAs |
P |
(1~10）E18 |
100~400 |
/ |
<5E4 |
||