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磷化铟晶片InP

磷化铟晶片InP

北京特博万德供应磷化铟InP晶片。
尺寸：2寸，3寸，4寸；
 表面：单抛、双抛；
 厚度：350um、500um、625um等；

 阐述：磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点；
应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。


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商品描述

北京特博万德供应磷化铟InP晶片。
尺寸：2寸，3寸，4寸；
 表面：单抛、双抛；
 厚度：350um、500um、625um等；

 阐述：磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点；
应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。


Growth Method

VGF

Diameter

2inch/3inch/4inch

Type/Dopant

Un

N/S/Sn

P/Zn

Orientation

<100> ±0.5°

Surface

Polished/Etched

Epi-ready

Yes

Package

Cassette or single

 

Size

2inch

3inch

4inch

Diameter（mm）

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Thickness(um)

350±25

625±25

625±25

OF(mm)

16±2

22±2

32.5±2

IF(mm)

8±2

12±2

18±2

TTV(um)

<10

<15

<15

BOW(um)

<15

<15

<15

Warp(um)

<15

<15

<15

 

Electrical parameters

Dopant

Conduct Type

Ingot CC(/cm3)

Mobility (cm2/v.s)

Resistivity （Ω·cm）

EPD(/cm3)

Undoped

N

3E16

>1700

/

<5E4

S-InP

N

（0.5~5）E18

（1~4）E3

/

<5E4

Fe-InP

N

（0.1~1）E8

>1700

>1E7

<5E4

Zn-InP

P

(0.6~6）E18

>50

/

<5E4