北京特博万德加工销售Ge锗片晶片。
尺寸:2-6英寸,其他尺寸可定制;
晶向:100/111、4°,6°,9°等偏角度;
导电类型:N型、P型、非掺高阻;
阐述:掺有微量特定杂质的锗单晶,可用于制各种晶体管、整流器及其他器件。锗材用于辐射探测器及热电材料。高纯锗单晶具有高的折射系数,对红外线透明,不透过可见光和紫外线,可作专透红外光的锗窗、棱镜或透镜。锗在红外器件、γ辐射探测器方面仍占有优势。高质量的锗基板主要用于cpv、外层空间太阳能电池板和高亮度发光二极管的应用。
Growth Method |
CZ |
||
Type/Dopant |
Un |
N/Sb |
P/Ga |
Diameter |
2inch-6inch |
||
Orientation |
100/111 of Angle |
||
Resistivity(Ω.cm) |
>30 |
>0.005 |
0.005-0.04 |
EPD(/cm2) |
<3000 |
<3000 |
0 |
Thickness(um) |
175um、200um、400um、500um、625um,as required |
||
TTV(um) |
<10 |
||
BOW(um) |
<25 |
||
Warp(um) |
<25 |
||
Surface |
E/E, P/E, P/D |
||
Epi-ready |
Yes |
||
Package |
Cassette or single |