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低应力氮化硅片

低应力氮化硅片

北京特博万德加工、销售 氮化硅片，大量现货。
尺寸： 2，3，4，6英寸；
 工艺： LPCVD；LPCVD具有均匀性好，应力低，成膜质量好等优点，成本也较高；
 氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um；
 表面：单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化；
 硅片厚度：200um，500um等多种厚度；
 应用：钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域；
 供货能力：大量现货、参数齐全；当天出库；
 订制能力： 各种参数均可订制。

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商品描述

北京特博万德加工、销售 氮化硅片，大量现货。
尺寸： 2，3，4，6英寸；
 工艺： LPCVD；LPCVD具有均匀性好，应力低，成膜质量好等优点，成本也较高；
 氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um；
 表面：单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化；
 硅片厚度：200um，500um等多种厚度；
 应用：钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域；
 供货能力：大量现货、参数齐全；当天出库；
 订制能力： 各种参数均可订制。












上图：不同膜厚的氮化硅片展示图


下表：技术参数规格

直径

2英寸

3英寸

4英寸

6英寸

导电类型

P,N

P,N

P,N,U n

P,N,U n

晶向

<100>

<100>

<100>

<100>

厚度（um）

400,500 as required

200,380 as required

200,300,450,380,500,525 as required

625 as required

表面

单抛双面氮化,

双抛双面氮化

单抛双面氮化,

双抛双面氮化

单抛双面氮化,

单抛单面氮化,

双抛双面氮化

单抛双面氮化

氮化层SiN厚度

200nm,500nm,1um as required

>50nm as required

50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,400nm,500nm,800nm,1um  as required

100nm,120nm  as required

电阻率（Ω.cm）

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000,>10000

<0.0015~1,1-100,

高阻>5000