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氮化镓晶片GaN
北京特博万德供应纯GaN氮化镓晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供应。
GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。
北京特博万德供应纯GaN氮化镓晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供应。
GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。例如，GaN是使紫色（405nm）激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此军事和太空应用也可能受益。由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比砷化镓（GaAs）晶体管高得多，因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。
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Conduct Type |
Semi-Insulating |
N |
N |
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Type/Dopant |
Fe |
Ge |
Undoped |
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Size |
10*10.5 mm，50.8± 0.1 mm |
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Orientation |
C-plane (0001) off angle toward M-Axis0.35°±0.15° |
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Total Thickness |
350 ± 25 µm |
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Surface front |
Polished |
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OF location/length |
(1-100) ± 0.5°/16.0 ± 1.0 mm |
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IF location/length |
(11-20) ± 3°/ 8.0 ± 1.0 mm |
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Resistivity（300K） |
>1E6 ohm·cm |
<0.05 Ω·cm |
<0.5 Ω·cm |
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EPD |
(1~9)E5/ cm2 |
5E5~3E6/ cm2 |
（1~3）E6/ cm2 |
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Ingot CC |
>6E16/cm3 |
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Ra(nm) |
Front surface Ra<0.2nm |
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TTV(um) |
<15 |
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BOW(um) |
<20 |
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Warp(um) |
<20 |
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Epi-ready |
Yes |
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Package |
Single in 100 class room |
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