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碳化硅晶片SiC
北京特博万德供应2,3,4,6英寸，切割小块的SiC碳化硅晶片。
碳化硅（SiC）是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度（约为硅的3倍）、高临界场强（约为硅的10倍）、高热导率（约为硅的3倍）等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件（电力芯片）的理想半导体材料。同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。
目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。
北京特博万德供应2,3,4,6英寸，切割小块的SiC碳化硅晶片。
碳化硅（SiC）是一种性能优越的新型化合物半导体材料。碳化硅半导体具有大禁带宽度（约为硅的3倍）、高临界场强（约为硅的10倍）、高热导率（约为硅的3倍）等优良特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件（电力芯片）的理想半导体材料。同时，也是仅次于钻石的优良的半导体材料。
目前我们还提供标准的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，用于肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）和双极结型晶体管（BJT）的制作。这些电力电子器件可广泛应用于包括太阳能逆变器、风力发电、混合动力及电动汽车等绿色能源和节能系统。
|
等级 Grade |
工业级Production |
研究级Research grade |
试片级Dummy Grade |
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|
直径 |
50.8 mm±0.38 mm（2英寸） |
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|
厚度 |
330 μm±25μm |
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|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
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|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
电阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
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|
主定位边方向 |
{10-10}±5.0° |
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|
主定位边长度 (mm) |
15.9 ±1.7 |
||||
|
次定位边长度 (mm) |
8.0 ±1.7 |
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|
次定位边方向 |
Silicon face up： 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
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|
边缘 |
1 mm |
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|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤25 |
||||
|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
|
裂纹(强光灯观测) # |
None |
None |
1 allowed， ≤1 mm |
||
|
六方空洞（强光灯观测）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
|
多型(强光灯观测)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
划痕(强光灯观测)* |
3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
|
崩边# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
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|
表面污染物（强光灯观测） |
None |
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|
等级 Grade |
工业级Production |
研究级Research grade |
试片级Dummy Grade |
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| 直径 | 76.2±0.38mm（3英寸） | ||||
|
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
电阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
|
主定位边方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
|
主定位边长度 (mm) |
22.2 mm±3.2 mm |
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|
次定位边长度 (mm) |
11.2 mm±1.5 mm |
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|
次定位边方向 |
Silicon face up： 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
|
边缘 |
2 mm |
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|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤35 |
||||
|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
|
裂纹(强光灯观测) # |
None |
1 allowed，≤1 mm |
1 allowed， ≤2 mm |
||
|
六方空洞（强光灯观测）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
|
多型(强光灯观测)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
划痕(强光灯观测)* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
8 scratches to 2×wafer diameter cumulative length |
||
|
崩边# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（强光灯观测） |
None |
||||
|
等级 Grade |
工业级Production |
研究级Research grade |
试片级Dummy Grade |
||
|
直径 |
100±0.5mm（4英寸） | ||||
|
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
电阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
6H-N |
0.02~0.1 |
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
(90%) >1E5 |
|||
|
主定位边方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
|
主定位边长度 (mm) |
32.5±2.5mm | ||||
|
次定位边长度 (mm) |
18.0±2mm | ||||
|
次定位边方向 |
Silicon face up： 90° CW. from Prime flat ±5.0° |
||||
|
边缘 |
3mm |
||||
|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤25 /≤40 |
||||
|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
||||
|
CMP Ra≤0.5 nm |
|||||
|
裂纹(强光灯观测) # |
None |
1 allowed，≤2 mm |
Cumulative length ≤ 10mm，single length≤2mm |
||
|
六方空洞（强光灯观测）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤3 % |
||
|
多型(强光灯观测)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
||
|
划痕(强光灯观测)* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
||
|
崩边# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（强光灯观测） |
None |
||||
|
等级 Grade |
工业级Production |
研究级Research grade |
试片级Dummy Grade |
||
| 直径 | 150±2.0mm（6英寸） | ||||
|
厚度 |
350 μm±25μm |
||||
|
晶片方向 |
On axis ： <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Off axis：4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI |
|||
|
微管密度（cm-2） |
≤5 |
≤15 |
≤50 |
||
|
电阻率(Ω·cm) |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
|||
|
|
|
||||
|
4/6H-SI |
>1E5 |
||||
|
主定位边方向 |
{10-10}±5.0° |
||||
|
主定位边长度 (mm) |
47.5 mm±2.5 mm |
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|
边缘 |
3mm |
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|
TTV/Bow /Warp (um) |
≤15 /≤40 /≤60 |
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|
表面粗糙度 |
Polish Ra≤1 nm |
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|
CMP Ra≤0.5 nm |
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|
裂纹(强光灯观测) # |
None |
1 allowed，≤2 mm |
Cumulative length ≤ 10mm，single length≤2mm |
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|
六方空洞（强光灯观测）* |
Cumulative area≤1 % |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
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|
多型(强光灯观测)* |
None |
Cumulative area≤2 % |
Cumulative area≤5% |
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|
划痕(强光灯观测)* |
3 scratches to1×wafer diameter cumulative length |
5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
5scratches to 1×wafer diameter cumulative length |
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|
崩边# |
None |
3 allowed，≤0.5 mm each |
5 allowed，≤1 mm each |
||
|
表面污染物（强光灯观测） |
None |
||||