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锑化铟晶片InSb
北京特博万德供应2寸和3寸的锑化铟InSb晶片。
InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。
另外在电荷注入器件方面，InSb器件的位数已达128×128阵列。3～5μm波段InSb光伏探测器作为敏感元件组成的混成焦平面阵列也得到很大发展，并已作成元数较多的两维阵列。
北京特博万德供应2寸和3寸的锑化铟InSb晶片。
InSb单晶电子迁移率高，是良好的红外探测器件、霍耳器件、磁阻器件的衬底材料。例如，对应于大气透射窗口3～5μm波段的成像器件和InSb焦平面阵列器件。
另外在电荷注入器件方面，InSb器件的位数已达128×128阵列。3～5μm波段InSb光伏探测器作为敏感元件组成的混成焦平面阵列也得到很大发展，并已作成元数较多的两维阵列。
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Growth Method |
VGF |
|||||
|
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
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|
Diameter |
2inch/3inch |
|||||
|
Orientation |
100 |
|||||
|
Surface |
Polished/Etched |
|||||
|
Epi-ready |
Yes |
|||||
|
Package |
single |
|||||
|
Size |
2inch |
3inch |
||||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
||||
|
Thickness(um) |
500±25 |
650±25 |
||||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
||||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
||||
|
TTV(um) |
<10 |
<15 |
||||
|
BOW(um) |
<15 |
<15 |
||||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
||||
|
Electrical parameters |
||||||
|
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (Ω·cm) |
EPD(/cm3) |
|
|
Undoped |
N |
（5-10）E13 |
（0.5-2）E5 |
/ |
≤200or≤500 |
|
|
Te |
N |
（1-1000）E14 |
（0.2-1）E5 |
/ |
≤200or≤500 |
|
|
Ge |
P |
（0.5-5）E15 |
4000-8000 |
/ |
≤200or≤500 |
|