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锑化镓晶片GaSb
北京特博万德供应2寸、3寸和4寸锑化镓GaSb晶片。
锑化镓（GaSb）是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料；非制冷中长波红外探测器具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点；该产品广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。
它可以与各种Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配, 这些材料光谱的范围在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之间, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8 ～ 14)μm 范围的探测器。
GaSb 基材料制造的器件除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外, 在其他领域也有很大的潜在应用价值, 如制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件, 用于火灾报警和环境污染检测的传感器, 监测工厂中腐蚀气体(如HCl 等)和有毒气体的泄漏的传感器等。
北京特博万德供应2寸、3寸和4寸锑化镓GaSb晶片。
锑化镓（GaSb）是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体材料，是Ⅱ类超晶格非制冷中长波红外探测器及焦平面阵列的关键材料；非制冷中长波红外探测器具有长寿命、轻量化、高灵敏度、高可靠性等优点；该产品广泛应用在红外激光器、红外探测器、红外传感器、热光伏电池。
它可以与各种Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配, 这些材料光谱的范围在(0 .8 ～ 4 .0)μm 之间, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8 ～ 14)μm 范围的探测器。
GaSb 基材料制造的器件除了在光纤通信中有巨大的潜在应用价值外, 在其他领域也有很大的潜在应用价值, 如制作多种用途的红外探测器件及火箭和监视系统中的红外成像器件, 用于火灾报警和环境污染检测的传感器, 监测工厂中腐蚀气体(如HCl 等)和有毒气体的泄漏的传感器等。
|
Growth Method |
VGF |
||||||
|
Type/Dopant |
Un |
N/Te |
P/Zn |
||||
|
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
||||||
|
Orientation |
100/111 |
||||||
|
Surface |
Polished/Etched |
||||||
|
Epi-ready |
Yes |
||||||
|
Package |
single |
||||||
|
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||||
|
Thickness(um) |
500±25 |
600±25 |
800±25 |
||||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||||
|
TTV(um) |
<10 |
<10 |
<20 |
||||
|
BOW(um) |
<15 |
<15 |
<20 |
||||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<20 |
||||
|
Electrical parameters |
|||||||
|
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity (Ω·cm) |
EPD(/cm3) |
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|
Undoped |
P |
（1~2）E17 |
600~700 |
/ |
<1E3 |
||
|
Te- GaSb |
N |
（1~20）E17 |
2000~3500 |
/ |
<1E3 |
||
|
Zn- GaSb |
P |
(5~100）E17 |
200~500 |
/ |
<1E3 |
||