GaAs 砷化镓单晶、非掺杂N型P型、100、111晶向、A面B面、1寸2寸3寸4寸6寸砷化镓，用于LED LD VESCEL、太阳能电池、红外光学、透镜。

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北京特博万德科技

砷化镓晶片GaAs

北京特博万德科技有限公司专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ；
晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角；
类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope；
厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；

提供“激光领域” 用高质量超薄双抛GaAs ；提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ；
提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、＜50 的高质量LD级外延用GaAs；
工艺加工：镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延（PN结、LED各色外延、LD激光器）。

市场价：￥ 0.00

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商品描述

北京特博万德科技有限公司专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。
尺寸：1 " ，2" ，3"，4"，6" ；
晶向：（100）,（111）和偏2°、4°、6°、10°、16°等各种偏角；
类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope；
厚度：100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um；

提供“激光领域” 用高质量超薄双抛GaAs ；提供光学透过可用的双抛半绝缘GaAs ；
提供高质量低位错的EPD<500、<300、<100、＜50 的高质量LD级外延用GaAs；
工艺加工：镀增透膜、镀金等欧姆接触、砷化镓电池、砷化镓外延（PN结、LED各色外延、LD激光器）。

Parameter	Guaranteed / Actual Values		UOM	Parameter	Guaranteed / Actual Values		UOM
Growth Method:	VGF			Growth Method:	VGF
Conduct Type:	S-I-N			Conduct Type:	S-I-N
Dopant:	Undoped			Dopant:	Undoped
Diameter:	50.7± 0.1		mm	Diameter:	100.0± 0.2		mm
Orientation:	(100)± 0.50			Orientation:	(100)± 0.30
OF location/length:	EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1			OF location/length:	EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1
IF location/length:	EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1			IF location/length:	EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1
Resistivity:	Min: 1.0 E8	Max: 2.2 E8	Ω·cm	Resistivity:	Min: 1.5 E8	Max: 2.0 E8	Ω·cm
Mobility:	Min: 4500	Max: 5482	cm2/v.s	Mobility:	Min: 4832	Max: 4979	cm2/v.s
EPD:	Min: 700	Max: 800	/ cm2	EPD:	Min: 600	Max: 700	/ cm2
Thickness:	350± 20		µm	Thickness:	625± 25		µm
Edge Rounding:	0.25		mmR	Edge Rounding:	0.375		mmR
Laser Marking:	N/A
TTV/TIR:	Max: 10		µm	TTV/TIR:	Max: 3		µm
BOW:	Max: 10		µm	BOW:	Max: 4		µm
Warp:	Max: 10		µm	Warp:	Max: 5		µm
Partical Count:	＜50/wafer(for particle>0.3um)			Partical Count:	＜100/wafer(for particle>0.3um)
Surface Finish– front:	Polished			Surface Finish– front:	Polished
Surface Finish –back:	Etched			Surface Finish –back:	Polished
Epi-Ready:	Yes			Epi-Ready:	Yes

Parameter	Actual Values	UOM	Parameter	Guaranteed / Actual Values	UOM
Growth Method	VGF		Growth Method	VGF
Conduct Type	S-C-N		Conduct Type	S-C-P
Dopant	GaAs-Si		Dopant	GaAs-Zn
Diameter	50.7± 0.1	mm	Diameter	76.2± 0.3	mm
Orientation	(100) 20 ± 0.50 off toward(011)		Orientation	(100)± 0.50
OF location/length	EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1		OF location/length	EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±1
IF location/length	EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/ 7±1		IF location/length	EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/12±1
Ingot CC	Min: 0.518 E Max: 1.7 E+18	/cm3	Ingot CC	Min: 5.1 E+19 Max: 5.8 E+19	/cm3
Resistivity	Min: 1.9 E-3 Max:6.1E-3	Ω·cm	Resistivity	Min: N/A	Ω·cm
Mobility	Min: 1913 Max:2616	cm2/v.s	Mobility	Min: 71 Max: 72	cm2/v.s
EPD	Min:50 Max: 100	/ cm2	EPD	Min: 600 Max: 800	/cm2
Thickness	350±20	µm	Thickness	625±20	µm
Edge Rounding	0.25	mmR	Edge Rounding	0.25	mmR
Laser Marking	N/A		Laser Marking	Front side
TTV	＜10	µm	TTV	＜ 15	µm
TIR	＜10	µm	TIR	＜ 15	µm
BOW	＜10	µm	BOW	＜ 15	µm
Warp	＜10	µm	Warp	＜ 15	µm
Surface Finish– front	Polished		Surface Finish– front	Polished
Surface Finish –back	Etched		Surface Finish –back	Polished
Partical Count	＜50/ wafer （for particle＞ 0.3µm)		Partical Count	＜50/ wafer （for particle＞ 0.3µm2)
Epi-Ready	Yes		Epi-Ready	Yes

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