二、硅外延生长工艺的优点

1、 生长温度比它本身的熔点要低；
2、 可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层；
3、 由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单晶或多层外延便于器件参数结构的调整。

三、硅外延工艺的分类

1、 按结构分类

   同质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料相同，例如N/N+，P/P+；
   异质外延——即外延层在结构与性质上与衬底材料不同，例：SOI(绝缘衬底上外延)。
2、 按外延层的厚度和电阻率分类
  厚度和电阻率均可按客户要求精确控制。
3、 按外延生长方法分类
  直接法——不经过中间化学反应，硅原子直接从源转移到衬底片上形成外延层，例：真空溅射法，分子束外延（物理法）液相外延等等；
  间接法——通过还原或分解硅化合物得到所需要的硅原子，然后在衬底上淀积形成外延层，我们的硅外延就属于间接生长工艺。

四、硅外延的基本原理

硅化学气相沉积外延生长其原理是在高温（＞1100℃）的衬底上输送硅化合物（SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等）利用氢（H2）在衬底上通过还原反应析出硅方法。
气相外延生长过程包括：
（1）反应剂（SiCl4或SiHCl3+H2）气体混合物质量转移到衬底表面；
（2）吸收反应剂分子在表面上（反应物分子穿过附面层向衬底表面迁移）；
（3）在表面上进行反应得到硅原子及其副产物；
（4）释放出副产物分子；
（5）副产物分子向主气流质量转移；（排外）
（6）硅原子先在生长层表面形成原子集团——晶核，接着加接到晶核上，使晶核增大，形成新的晶面。

Certificate

Substrate

Epi

Diameter (mm)

Φ76.2+/-0.5

Type/Dopant

N/PH

Type/Dopant

P/Boron

Epi Resistivity（Ω.cm） 

0.003-0.005

Orientation

<111>

Epi Thickness(µm)

25-30

Thickness（µm )

355-407

Surface

Good

Resistivity（Ω.cm） 

0.004-0.008

Qty

25PCS