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北京特博万德科技
FZ区熔高阻硅片

FZ区熔高阻硅片

北京特博万德加工、供应各种类型高阻硅片，以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式：区熔（FZ）、中子辐照区熔（NTDFZ）等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非标直径及异形硅片；
 表面：单抛、双抛、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：1mm、2mm、5mm等；

 导电类型：非掺杂半绝缘；
 电阻率：＞1Ω.cm，>1000Ω.cm，>3000Ω.cm， >5000Ω.cm， >10000Ω.cm，> 20000 Ω.cm；
 用途：红外光学、太赫兹领域；整流器、场效应管、功率集成电路、射频、超高压二极管、传感器等；
 工艺：可加工氧化、 氮化、镀金属膜（银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni）；
 供货能力：大量库存现货，种类齐全，当天发货！
 加工能力：各种规格可加工，为客户量身定制！工期短！

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商品描述

北京特博万德加工、供应各种类型高阻硅片，以及苛刻要求的高质量硅片。

 生长方式：区熔（FZ）、中子辐照区熔（NTDFZ）等；

 尺寸：1”，2”， 3”，4”，5”，6”，8”，12”和特殊非标直径及异形硅片；
 表面：单抛、双抛、研磨等；
 晶向：<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向；
 厚度：超薄25um、50um、100um、200um等，常用厚度：280um-1mm；超厚：1mm、2mm、5mm等；

 导电类型：非掺杂半绝缘；
 电阻率：＞1Ω.cm，>1000Ω.cm，>3000Ω.cm， >5000Ω.cm， >10000Ω.cm，> 20000 Ω.cm；
 用途：红外光学、太赫兹领域；整流器、场效应管、功率集成电路、射频、超高压二极管、传感器等；
 工艺：可加工氧化、 氮化、镀金属膜（银Ag、金Au、铂Pt、铜Cu、钛Ti、镍Ni）；
 供货能力：大量库存现货，种类齐全，当天发货！
 加工能力：各种规格可加工，为客户量身定制！工期短！
高阻硅棒 透过曲线图 太赫兹曲线图
XRD图




直径

2英寸、3英寸

4英寸、5英寸

6英寸

8英寸

12英寸

晶向

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>特殊晶向

<100><111><110>

<100>

厚度（um）

>50,280,400,500,1000,2000,as required

200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
as required

625,650,675,1000,1500,as required

650,700,725,1200,1500,
as required

700,775,as required

电阻率（Ω.cm）

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

<1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
as required

>1,>100,>1000,>10000
 as required

>1,>100,>1000,>10000
as required

TTV（um）

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5,更小

<10,<5，更小

Bow（um）

<20

<30

<30

<40

<50

Warp（um）

<30

<40

<40

<50

<50

粗糙度（n m）

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

<0.2

颗粒度

<20@0.3

<20@0.3

<20@0.3

<20@0.3

<50@0.3