氮化铝基板AlN具有高热导率、较低的介电常数和介质损耗、优良的力学性能。主要应用于5G通讯、LED封装、半导体、功率模块(IGBT)、影像传感、光伏储能等领域。
       氮化硅(Si3N4)基板是SiC功率器件导热基板材料首选。具有优异的机械性能,兼顾高弯曲强度和高断裂韧度,可靠性高,高导热率(>80W/mK),氮化硅的出色机械强度有助于钎焊较厚的铜层,载流能力较 高。且氮化硅陶瓷基板的热膨胀系数与第三代半导体衬底SiC晶体接近,使其能够与SiC晶体材料匹配更稳定，主要用于电动汽车(EV)和混合动力车(HV)功率半导体,特别在800V以上高端新能源汽车中应。
      氧化铝基板AlO具有尺寸大、均匀性好、致密性高等特点，适合用于在陶瓷材料上做各种图形的金属化。可提供介电常数更高，适用于薄膜电路和微波射步领域。

可提供尺寸：各种方形、圆型、打孔、异形等。