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金属电极/光学镀膜/刻蚀/光电子、微电子器件设计

我司可提供专业的半导体和光学wafer和器件的设计加工服务。

              

 

技术服务内容包括:
1.匀胶工艺:
可以提供正胶或负胶的薄胶/厚胶的涂胶工艺;
2.紫外光刻工艺:
周期性光栅,最小线宽2微米;高宽比可以达到20;
3.刻蚀工艺:
深硅刻蚀;二氧化硅刻蚀;金属刻蚀等;
4.电子束光刻:
纳米电极,纳米结构的制备工艺;
5.镀膜:
1)金属镀膜:
磁控溅射、离子束溅射、热蒸发:金、铂、银、铜、钛、铬、镍等;
2)钝化膜:
氧化膜(湿氧、干氧、干湿结合、高压氧化、PECVD);氮化膜(LPCVD、PECVD);
3)光学膜:
反射膜、增透膜;
6.电镀或电铸工艺:
提供金属模具的制备;
7.微纳光子器件制备,
包括:
1)高精度EBL曝光和刻蚀工艺,可加工高质量纳米光子器件。(加工线宽低达30nm)
2)成熟的基于SU8聚合物材料的光子器件加工能力。(加工线宽低达2um)
3)成熟的氮化硅光子器件加工能力。(加工线宽可达2um)
4)以上器件均可制备配套的金属电极等。
8.切割服务: 激光切割及隐形切割、穿孔,按图纸加工各种形状;
9.加工服务: 研磨+抛光+腐蚀+键合+切割+减薄+光刻+涂层+外延+离子注入服务等。

MBE外延服务

GaAs基,Si基等高要求的外延服务:

 

 

 

脚注信息
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