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碳化硅生长炉

       碳化硅单晶生长炉主要用于生产 6英寸碳化硅单晶体。
       碳化硅单晶生长炉运用物理气相输运法,在 2000℃以上、高纯度低气压保护气氛环境中, 将高纯 SiC粉料加热升华分解, 进而在籽晶上生长形成高质量 SiC 单晶,晶锭经切磨拋及清洗等工序后,形成碳化硅衬底。

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商品描述

       碳化硅单晶生长炉主要用于生产 6英寸碳化硅单晶体。
       碳化硅单晶生长炉运用物理气相输运法,在 2000℃以上、高纯度低气压保护气氛环境中, 将高纯 SiC粉料加热升华分解, 进而在籽晶上生长形成高质量 SiC 单晶,晶锭经切磨拋及清洗等工序后,形成碳化硅衬底。


设备功能

1 使用石英管, 保证腔体内环境纯洁,对晶体及器件无污染;
2 极限真空度高, 腔体内残留气体少, 气氛纯度高;
3 水冷主要用于冷却设备密封部位 O 型圈及设备外表面, 延长密封圈使用寿命, 同时避免人员烫伤;风冷主要用于冷却石英管;
4 取料方式: 下盖取料, 操作简便, 节省人力。


设备结构组成

碳化硅单晶生长炉主要包括:上盖组件、腔室组件、加热保温组件、下盖升降组件、真空组件、气路组件、水冷组件、电气控制系统及工艺系统等。



设备特点

采用感应加热方式,设备进行了先进合理的设计,配套产品和功能元器件能满足长期、稳定、可靠使用的要求;设备节能效果好,连续工作高稳定性和良好精度保持性;控制精度高,设备使用、操作、维护、维修方便,且具有美观的造型。