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北京特博万德专业代理销售 罗门哈斯RHOMHAAS全系列产品。
产品种类包括：研磨垫、抛光垫、抛光液、Template、Grind、背膜等。
型号包括：MH、SUBA、Supreme、WhiteX、POLITEX、DPC、IC、NP、NALCO、Nanopure、Machplaner等。
主要应用：Silicon wafer, GaAs wafer, GaSb wafer, Ge wafer, MCT, CZT, GaP等晶片的研磨和抛光。
|
物理性质 |
|||||||
|
研磨液类型 |
磨粒 |
固体成分浓度 |
pH |
粒子径 |
研磨促进剂 |
标准使用稀释倍率 |
研磨适用于 |
|
材质 |
Wt% |
nm |
|||||
|
NP5001 |
SiO2 |
15 |
8.5 |
230 |
- |
10 |
硅，塑料 |
|
NP5501 |
SiO2 |
50 |
8.5 |
60 |
× |
20 |
化合物、氧化物，其他 |
|
NP6220 |
SiO2 |
6 |
11.0 |
70 |
○ |
20 |
硅1次、2次 |
|
NP6501 |
SiO2 |
40 |
11.0 |
80 |
○ |
20 |
硅1次、2次 |
|
NP6504 |
SiO2 |
28 |
11.7 |
80 |
○ |
20 |
硅1次、2次 |
|
NP6601 |
SiO2 |
25 |
11.5 |
80 |
× |
20 |
硅1次、2次 |
|
NP6605 |
SiO2 |
25 |
11.5 |
25 |
× |
20 |
硅1次、2次 |
|
NP8020 |
SiO2 |
9.5 |
10.4 |
70 |
- |
20 |
硅最终研磨 |
|
NP8030 |
SiO2 |
10.5 |
10.4 |
70 |
- |
30 |
硅最终研磨 |
|
NP8040 |
SiO2 |
4 |
10.4 |
70 |
- |
40 |
硅最终研磨 |
|
NP8040W |
SiO2 |
7 |
10.4 |
70 |
- |
40 |
硅最终研磨 |
|
EG1102 |
SiO2 |
20 |
11.2 |
80 |
○ |
20 |
硅边缘 |
|
NP1000MS |
SiO2 |
10.6 |
2 |
80 |
- |
- |
压膜Cu |
|
MS2000 |
SiO2 |
40 |
10.25 |
80 |
- |
2 |
蓝宝石 |
|
ST1005 |
ALO3 |
14 |
4.5 |
<300 |
- |
- |
钨，陶瓷，其他 |
|
ILD3025 |
*SiO2 |
25 |
10.5 |
85 |
- |
2 |
device氧化膜(NH4OH) |
|
ILD3225 |
*SiO2 |
25 |
11 |
85 |
- |
2 |
device氧化膜(KOH) |
|
|
Pad 厚度（mm） |
压缩率（%） |
硬度（Shore-D） |
密度（g/c3） |
|
|
IC1000 |
1.27 |
1.17~1.37 |
0.5~5.0 |
52~62 |
0.74~0.85 |
|
2.03 |
1.93~2.13 |
||||
|
制品 |
Supreme RN-H |
Supreme RN-R |
Whitex RG-S |
|
厚度（mm） |
1.53 |
1.43 |
1.45 |
|
压缩率（%） |
13.8 |
14.8 |
13.5 |
|
硬度（Asker-C） |
50 |
|
55 |
|
平均数直径（um） |
37 |
|
42 |
|
|
*Suba400 |
Suba400H |
Suba600 |
Suba800 |
Suba808 |
Suba800M2 |
|
|
厚度 |
mm |
1.27 |
1.27 |
1.27 |
1.27 |
0.70 |
1.27 |
|
1.20-1.34 |
1.20-1.34 |
1.20-1.34 |
1.20-1.34 |
0.63-0.77 |
1.20-1.34 |
||
|
硬度 |
|
60 |
67 |
80 |
83 |
80 |
87 |
|
55-66 |
62-70 |
76-83 |
79-85 |
75-85 |
83-91 |
||
|
压缩率 |
% |
9.4 |
7.5 |
4.2 |
3.3 |
4.5 |
2.7 |
|
5.0-11.0 |
4.0-10.0 |
2.5-5.5 |
2.5-5.5 |
2.0-6.0 |
1.4-3.8 |
||
|
Ra |
um |
16.7 |
16.5 |
15.3 |
15.0 |
16.8 |
13.8 |