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北京特博万德科技

罗门哈斯RHOMHAAS研磨垫/抛光垫等产品

北京特博万德提供 罗门哈斯RHOMHAAS全系列产品。

产品种类包括：研磨垫、抛光垫、抛光液、Template、Grind、背膜等。  

型号包括：MH、SUBA、Supreme、WhiteX、POLITEX、DPC、IC、NP、NALCO、Nanopure、Machplaner等。

主要应用：Silicon wafer, GaAs wafer, GaSb wafer, Ge wafer, MCT, CZT, GaP等晶片的研磨和抛光。



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商品描述

北京特博万德提供 罗门哈斯RHOMHAAS全系列产品。

产品种类包括：研磨垫、抛光垫、抛光液、Template、Grind、背膜等。  

型号包括：MH、SUBA、Supreme、WhiteX、POLITEX、DPC、IC、NP、NALCO、Nanopure、Machplaner等。

主要应用：Silicon wafer, GaAs wafer, GaSb wafer, Ge wafer, MCT, CZT, GaP等晶片的研磨和抛光。




物理性质

研磨液类型

磨粒

固体成分浓度

pH

粒子径

研磨促进剂

标准使用稀释倍率

研磨适用于

材质

Wt%

nm

NP5001

SiO2

15

8.5

230

-

10

硅，塑料

NP5501

SiO2

50

8.5

60

×

20

化合物、氧化物，其他

NP6220

SiO2

6

11.0

70

○

20

硅1次、2次

NP6501

SiO2

40

11.0

80

○

20

硅1次、2次

NP6504

SiO2

28

11.7

80

○

20

硅1次、2次

NP6601

SiO2

25

11.5

80

×

20

硅1次、2次

NP6605

SiO2

25

11.5

25

×

20

硅1次、2次

NP8020

SiO2

9.5

10.4

70

-

20

硅最终研磨

NP8030

SiO2

10.5

10.4

70

-

30

硅最终研磨

NP8040

SiO2

4

10.4

70

-

40

硅最终研磨

NP8040W

SiO2

7

10.4

70

-

40

硅最终研磨

EG1102

SiO2

20

11.2

80

○

20

硅边缘

NP1000MS

SiO2

10.6

2

80

-

-

压膜Cu

MS2000

SiO2

40

10.25

80

-

2

蓝宝石

ST1005

ALO3

14

4.5

<300

-

-

钨，陶瓷，其他

ILD3025

*SiO2

25

10.5

85

-

2

device氧化膜(NH4OH)

ILD3225

*SiO2

25

11

85

-

2

device氧化膜(KOH)


 

Pad 厚度（mm）

压缩率（%）

硬度（Shore-D）

密度（g/c3）

IC1000

1.27

1.17~1.37

0.5~5.0

52~62

0.74~0.85

2.03

1.93~2.13

 

制品

Supreme RN-H

Supreme RN-R

Whitex RG-S

厚度（mm）

1.53

1.43

1.45

压缩率（%）

13.8

14.8

13.5

硬度（Asker-C）

50

 

55

平均数直径（um）

37

 

42

   

 

*Suba400

Suba400H

Suba600

Suba800

Suba808

Suba800M2

厚度

mm

1.27

1.27

1.27

1.27

0.70

1.27

1.20-1.34

1.20-1.34

1.20-1.34

1.20-1.34

0.63-0.77

1.20-1.34

硬度

 

60

67

80

83

80

87

55-66

62-70

76-83

79-85

75-85

83-91

压缩率

%

9.4

7.5

4.2

3.3

4.5

2.7

5.0-11.0

4.0-10.0

2.5-5.5

2.5-5.5

2.0-6.0

1.4-3.8

Ra

um

16.7

16.5

15.3

15.0

16.8

13.8