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磷化铟晶片InP
北京特博万德供应磷化铟InP晶片。
尺寸：2寸，3寸，4寸； 表面：单抛、双抛； 厚度：350um、500um、625um等；
阐述：磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点；
应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
北京特博万德供应磷化铟InP晶片。 尺寸：2寸，3寸，4寸； 表面：单抛、双抛； 厚度：350um、500um、625um等；
阐述：磷化铟（InP）是一种重要的化合物半导体材料，具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点；
应用：制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。在固态发光、微波通信、光纤通信、太阳能电池、制导/导航、卫星等民用和军事等领域的应用十分广阔。
|
Growth Method |
VGF |
||||
|
Diameter |
2inch/3inch/4inch |
||||
|
Type/Dopant |
Un |
N/S/Sn |
P/Zn |
||
|
Orientation |
<100> ±0.5° |
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|
Surface |
Polished/Etched |
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|
Epi-ready |
Yes |
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|
Package |
Cassette or single |
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|
|
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|
Size |
2inch |
3inch |
4inch |
||
|
Diameter（mm） |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
||
|
Thickness(um) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
||
|
OF(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2 |
||
|
IF(mm) |
8±2 |
12±2 |
18±2 |
||
|
TTV(um) |
<10 |
<15 |
<15 |
||
|
BOW(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||
|
Warp(um) |
<15 |
<15 |
<15 |
||
|
|
|||||
|
Electrical parameters |
|||||
|
Dopant |
Conduct Type |
Ingot CC(/cm3) |
Mobility (cm2/v.s) |
Resistivity （Ω·cm） |
EPD(/cm3) |
|
Undoped |
N |
3E16 |
>1700 |
/ |
<5E4 |
|
S-InP |
N |
（0.5~5）E18 |
（1~4）E3 |
/ |
<5E4 |
|
Fe-InP |
N |
（0.1~1）E8 |
>1700 |
>1E7 |
<5E4 |
|
Zn-InP |
P |
(0.6~6）E18 |
>50 |
/ |
<5E4 |